鍺（Ge）基片用途：制作半導(dǎo)體器件，紅外光學(xué)器件，及太陽(yáng)能電池襯底等材料。
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生長(zhǎng)方法
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提拉法
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晶體結(jié)構(gòu)
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立方
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晶格常數(shù)
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a=5.65754 Å
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密 度
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5.323g/cm3
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熔點(diǎn)
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937.4℃
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摻雜物質(zhì)
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不摻雜
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摻Sb
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摻In或Ga
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類(lèi)型
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/
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N
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P
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電阻率
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＞35Ωcm
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0.05Ωcm
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0.05~0.1Ωcm
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EPD
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＜4×103∕cm2
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＜4×103∕cm2
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＜4×103∕cm2
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尺寸
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10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm
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厚度
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0.5mm，1.0mm
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拋光
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單面或雙面
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晶向
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<100>、<110>、<111>、±0.5º
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晶面定向精度:
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±0.5°
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邊緣定向精度:
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2°（特殊要求可達(dá)1°以?xún)?nèi)）
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斜切晶片
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可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片
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Ra:
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≤5Å（5µm×5µm）
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包裝
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100級(jí)潔凈袋，1000級(jí)超凈室
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